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보도기사

본교, 5년간 최대 140억 원 예산 확보, 6G 차세대 반도체소재개발 선도

본교 반도체융합기술원이 과학기술정보통신부에서 공모한 차세대화합물반도체핵심기술개발사업에 선정됐다. 본 연구는 차세대 반도체 소재를 개발해, 국내 산·학·연 기관의 기술개발 활성화를 유도하고 향후 미래에 응용할 수 있는 차세대 무선 송수신, 양자컴퓨터 등 여러 핵심 분야에 활용이 가능한 원천 핵심기술 확보에 나선다.
또한, 이번 사업으로 5년간 최대 140억 원의 예산을 지원받아 본교 연구팀의 총괄 하에 ▲(주)큐에스아이 ▲한국나노기술원 ▲한국전자기술연구원 ▲한국전자통신연구원 ▲한남대학교 ▲울산대학교 ▲한국폴리텍대학 등 여러 산학 기관이 협력할 계획이다.
이번 연구의 주제는 차세대 이동통신 시스템 구현을 위한 테라헤르츠 대역급의 HBT/HEMT 통합 소자 공정 기술 개발로 차세대 무선 송수신, 고해상도 이미지센서, 고감도 레이더, 양자컴퓨터 등 여러 분야에 활용이 가능한 초고주파·저전력 전자소자용 에피 소재를 개발할 계획이다. 본교 반도체융합기술원(ISFT) 원장이자 이번 연구의 주관연구책임자인 김대현 교수(IT대 전자공학)는 “본 연구를 통해 MOCVD InGaAs/InAlAs/InP 등의 에피성장 거동 연구, heavily doped in-situ 도핑 기술, InP 기반 HEMT/InP 기반 HBT/GaAs 기반 M-HEMT 에피 소재 기술 및 최적화 에피 구조 등 THz급 통신 소자에 필요한 에피 소재의 주요 기술을 확보할 수 있을 것으로 판단된다”고 말했다.
본 연구는 최근 급속도로 발전하고 있는 모바일 산업과 웨어러블 기기 산업 등의 고성능 소형전자기기로 기술적 활용이 가능해 여러 분야에서 활용할 수 있다. 이에 대해 김 교수는 “본 연구를 통해 초고주파, 초저전력 화합물 반도체 소자와 공정 기술을 개발하고 발전시켜 우리나라가 세계시장을 주도할 수 있을 것이라 예상된다”고 밝혔다.
본 연구는 앞으로 300GHz 대역 MMIC용 3인치 InP HEMT/HBT, 6인치 GaAs mHEMT 에피 소재 개발 및 InP HEMT/HBT, GaAs mHEMT 소자 공정 기술 개발을 통해 300GHz 대역에서 동작하는 MMIC 설계 및 공정, 평가 기술 개발과 MOCVD 장비를 사용해 ▲3인치 InP HEMT ▲3인치 InP HBT ▲6인치 GaAs mHEMT에 대한 에피 성장 기술 ▲웨이퍼 레벨 InP HEMT/HBT, GaAs mHEMT 소자 기술에 대한 모델링을 수행할 예정이다.


정예은 기자 ann8078@knu.ac.kr
임지한 수습기자


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